Speaker
Taegyu Lee
(Gyeongsang National University)
Description
라쉬바 효과(Rashba effect)에 의한 스핀 겹칩(Spin-degeneracy)의 붕괴는 역전대칭성(Inversion Symmetry)의 붕괴와 표면에서의 수직 전기장과 연관이 깊다. 본 연구에서는 2H-MoSe_2 복층 구조의 스핀 겹침의 붕괴를 조절하는 연구를 근접결합모델(Tight-binding model)로 수행했다. 수직전기장에 의한 포텐셜 차이로 인해 역전 대칭성(Inversion Symmetry)이 붕괴됨과 동시에 거대 슈타크효과(Giant Stark effect)와 함께 스핀 겹침이 붕괴됨을 확인하였으며, 기존에 알려진 원자가 전자 띠(Valance bands) 뿐만 아니라 전도성 전자 띠(Conduction Bands)에서도 동일한 현상이 발생함을 확인하였다. 전도성 전자 띠의 오비탈 각운동량(Orbital Angular Momentum, OAM) 및 스핀 각운동량 분석을 통해 라쉬봐 효과와 유사한 OAM모델을 만족함을 확인하였으며[1], 이를 통해 스핀트로닉스에 필요한 스핀구조 제어기술에 도움을 줄 것을 기대한다.
[1] S.R. Park et al., Phys. Rev. Lett. 107, 156803 (2011)
Primary author
Taegyu Lee
(Gyeongsang National University)
