2022년도 한국물리학회 대구·경북지부 추계 학술발표회

GaAs기판에 성장시킨 InAs 양자점의 광 특성연구

PC

13 Oct 2022, 15:00

1h 30m

Applied Physics (PC) 포스터 발표

Speaker

Jiseong Go (영남대학교)

Description

GaAs 기판 위에 MBE를 통해 성장시킨 InAs 양자점을 PL과 PR을 이용하여 광 특성을 확인하였다. 샘플은 n+ GaAs 기판 위에 n=41018 cm-3의 도핑농도를 가지는 n-GaAs 버퍼를 5000Å 성장시키고 그 위에 n=31016 cm-3의 농도를 가지는 Si로 도핑된 n-GaAs층을 3100Å쌓고 그 위에 InAs 양자점을 MBE를 통해 성장시켰으며 그 위에 AlAs 배리어를 10Å만큼 쌓고 top layer로는 n=3*1016 cm-3의 도핑농도를 가지는 Si로 도핑된 n-GaAs를 2500Å만큼 쌓았다. 633nm의 여기광을 사용하여 20K에서 PDPL을 진행한 결과 1.49 eV 에서 GaAs 기판의 피크를 확인 할 수 있었으며 1.35 eV, 1.39 eV에서 InAs QD의 피크를 확인 할 수 있었으며 1 mW/cm^2 이하의 세기에서 약간의 적색편이가 일어났다. 20K부터 300K 까지 온도를 20K씩 올려가며 TDPL을 촬영해본 결과 1.39 eV의 InAs 양자점 신호가 온도가 높아질수록 적색편이하였으며 1.35 eV의 신호는 세기가 점점 줄어들다 약 100K부터 신호가 사라졌다. 샘플의 전자특성을 확인하기 위해 온도 20K에서 PR측정을 진행하였다.