Speaker
Jiseong Go
(영남대학교)
Description
GaAs 기판 위에 MBE를 통해 성장시킨 InAs 양자점을 PL과 PR을 이용하여 광 특성을 확인하였다. 샘플은 n+ GaAs 기판 위에 n=41018 cm-3의 도핑농도를 가지는 n-GaAs 버퍼를 5000Å 성장시키고 그 위에 n=31016 cm-3의 농도를 가지는 Si로 도핑된 n-GaAs층을 3100Å쌓고 그 위에 InAs 양자점을 MBE를 통해 성장시켰으며 그 위에 AlAs 배리어를 10Å만큼 쌓고 top layer로는 n=3*1016 cm-3의 도핑농도를 가지는 Si로 도핑된 n-GaAs를 2500Å만큼 쌓았다. 633nm의 여기광을 사용하여 20K에서 PDPL을 진행한 결과 1.49 eV 에서 GaAs 기판의 피크를 확인 할 수 있었으며 1.35 eV, 1.39 eV에서 InAs QD의 피크를 확인 할 수 있었으며 1 mW/cm^2 이하의 세기에서 약간의 적색편이가 일어났다. 20K부터 300K 까지 온도를 20K씩 올려가며 TDPL을 촬영해본 결과 1.39 eV의 InAs 양자점 신호가 온도가 높아질수록 적색편이하였으며 1.35 eV의 신호는 세기가 점점 줄어들다 약 100K부터 신호가 사라졌다. 샘플의 전자특성을 확인하기 위해 온도 20K에서 PR측정을 진행하였다.
Primary authors
Gyung Du Park
(Yeungnam University)
Jiseong Go
(영남대학교)
Mr
Taein Kang
(Yeungnam University)
jaedu HA
(Yeungnam University)
jong won cha
(Yeungnam University)
Co-author
Prof.
Jong Su Kim
(Yeungnam University)
