Speaker
jong won cha
(Yeungnam University)
Description
MBE 장비를 이용하여 디지털 합금(Digital Alloy, DA) 방식으로 성장된 InGaAlAs 다중 양자 우물(Multiple Quantum Wells, MQWs)구조의 광 특성을 조사하였다. 700도, 750도, 800도와 850도에서 급속 열처리(Rapid Thermal annealing, RTA)된 MQWs의 광학적 특성 변화를 알아보기 위해 photoluminescence와 photoreflectance의 방법을 이용하여 연구하였다. 14K에서 PL 세기 의존성 결과 0.3 mW/cm2 부근에서 850도로 RTA된 샘플에서 뚜렷한 피크 2개를 관측하였다. 이는 높은 어닐링 온도로 인해 MQWs 내에 다른 에너지 준위의 형성됨을 알 수 있다. 300K에서 PR의 결과 0.92eV와 1.17eV 근처에서 700, 750과 800도로 어닐링한 샘플의 MQWs의 신호와 SCH(separate confinement heterostructure)의 신호를 확인하였다.
Primary authors
jong won cha
(Yeungnam University)
Mr
Tae In Kang
(Yeungnam University)
Co-author
Prof.
Jong Su Kim
(Yeungnam University)
